TD-LTE系统中的单双极化智能阵列天线性能分析

• 作者: 彭岳星 杨晓 王文博 郑侃
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 智能阵列天线 波束赋型 信道相关性 双极化 TD-LTE
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: “智能天线技术”专题
• 页码范围: 331-335
• 分类号: TN911.22
• 字数: 4154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2011.04.001

摘要

研究了TD-LTE系统中双极化技术对智能阵列天线性能的影响,理论分析了下行波束赋型算法中赋型增益与信道矩阵SVD分解后的奇异值的关系,并基于相关阵信道模型利用数值计算统计出单、双极化智能阵列天线的信道特征参数。然后,通过蒙特卡洛数值仿真方法对TD-LTE系统在单、双极化智能阵列天线配置下的误块率性能进行评估。理论分析和仿真结果都表明,双极化智能阵列天线在误块率性能损失较小情况下显著减小了阵列尺寸,具有实际应用价值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文博	北京邮电大学无线信号处理与系统实验室泛网教育部重点实验室	241	2283	25.0	35.0
2	郑侃	北京邮电大学无线信号处理与系统实验室泛网教育部重点实验室	29	212	8.0	13.0
3	彭岳星	北京邮电大学无线信号处理与系统实验室泛网教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	杨晓	北京邮电大学无线信号处理与系统实验室泛网教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0