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摘要:
提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合、欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小.
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文献信息
篇名 一种测量P-GaN载流子浓度的方法
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 p-GaN 载流子浓度测量 紫外探测器
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 715-722
页数 分类号 O481
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵德刚 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 42 214 9.0 12.0
2 周梅 中国农业大学理学院应用物理系 22 69 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
p-GaN
载流子浓度测量
紫外探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
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35
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174683
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