808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制

• 作者: 任忠祥 夏伟 张新 徐现刚 房玉锁 李沛旭 汤庆敏 王翎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器mini阵列 InGaAsP/GaInP 应变量子阱 金属有机化合物化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 920-922
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.12.005

摘要

通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件.利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中.20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53％.将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A.经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏伟		56	193	6.0	10.0
5	王翎		5	9	2.0	3.0
7	张新		5	9	2.0	3.0
8	任忠祥		3	8	2.0	2.0
9	李沛旭		5	8	1.0	2.0
12	房玉锁		1	0	0.0	0.0
13	汤庆敏		2	1	1.0	1.0