980nm半导体激光器高反膜的优化设计

• 作者: 宋爱民 张莹 王培界
• 来源期刊: 数字通信
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 高反膜 薄膜激光损伤阈值 归一化电场强度
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4

摘要

通过软件模拟和理论分析，对980BITI半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5／SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料，通过软件TFCalc进行仿真，对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析，对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明：膜系结构为A12O3（Ta205／SiO2）^7 Ta2O5的高反膜性能良好，镀膜后的阈值电流减小了20mA左右，斜率效率从0．48增加到了0．86。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莹	重庆邮电大学光电工程学院	6	40	3.0	6.0
2	宋爱民		8	74	3.0	8.0
3	王培界		5	20	3.0	4.0