基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值

• 作者: 刘雪林 王兴功 王同权 路伟
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GEANT4 蒙特卡罗 反冲原子 位移能量损失
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 529-531
• 页数: 3页
• 分类号: TL814
• 字数: 2440字
• 语种: 中文

摘要

利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失.根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindbard-Robinson-Akkerman分离函数,模拟结果表明10MeV-1 GeV能量范围内的质子位移能量损失值和Jun、Summers等结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	路伟		3	12	2.0	3.0
2	王兴功		3	12	2.0	3.0
3	刘雪林		9	45	4.0	6.0