初始埚位对单晶少子寿命的影响

• 作者: 任丽 李宁 王倩 罗晓英
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 初始埚位 少子寿命 氧含量 硅棒
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 782-785
• 分类号: TN304
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.010

摘要

在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg.采用5种不同的初始埚位(-50,- 60,- 70,- 80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶体生长工艺,拉制了5根φ200 mm、p型、晶向〈100〉、电阻率2Ω·cm的单晶硅棒.待硅棒冷却后,取片进行少子寿命和氧含量的测试,根据所得数据分析不同初始埚位对少子寿命的影响.由分析结果得出结论:随着初始埚位的提升,单晶硅棒少子寿命逐渐降低.结合实际生产利润及硅片品质需要,最后得到最适合晶体生长的初始埚位是-70 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丽	河北工业大学化工学院	75	1321	20.0	35.0
2	李宁	河北工业大学材料学院	35	207	9.0	12.0
3	王倩	河北工业大学材料学院	11	26	3.0	5.0
4	罗晓英	河北工业大学材料学院	3	40	3.0	3.0