薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高

• 作者: 张建华 张志林 张浩 张良 李俊 蒋雪茵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 ZnO 稳定性 退火
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1281-1285
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113212.1281

摘要

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层.与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s),阈值电压由20.8V减小至9.9V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec.25 V直流电压施加3600s后,未退火器件的阈值电压变化达到8V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V.实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋雪茵	上海大学材料学院	102	764	14.0	17.0
2	张志林	上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室	100	763	14.0	17.0
3	张建华	上海大学机电工程与自动化学院	106	709	13.0	21.0
7	张浩	上海大学机电工程与自动化学院	19	62	5.0	6.0
11	张良	上海大学材料学院	2	6	1.0	2.0
12	李俊	上海大学材料学院	13	27	3.0	4.0