铁电厚膜焦平面探测器微桥湿法刻蚀工艺研究

• 作者: 姜胜林 张丽芳 范茂彦
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非制冷红外焦平面阵列 微桥 光刻 各向异性腐蚀 腐蚀装置
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 296-300,308
• 分类号: TN215
• 字数: 4124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.05.012

摘要

为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了(100)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究.研究KOH摩尔比、腐蚀温度对si基片腐蚀特性的影响.在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善.结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,选用KOH质量分数为34%、11%的IPA,在80℃、1.5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范茂彦	华中科技大学电子科学与技术系	9	29	2.0	5.0
10	姜胜林	华中科技大学电子科学与技术系	101	727	15.0	21.0
11	张丽芳	玉溪师范学院信息技术工程学院	23	43	3.0	6.0