HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

• 作者: 吴拥中 张浩东 张雷 蒋民华 邵永亮 郝霄鹏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 模拟 GaN 氢化物气相外延 气流分布
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 853-857
• 分类号: O614
• 字数: 2716字
• 语种: 中文

摘要

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雷	山东大学晶体材料国家重点实验室	44	270	8.0	15.0
2	蒋民华	山东大学晶体材料国家重点实验室	109	811	14.0	23.0
3	郝霄鹏	山东大学晶体材料国家重点实验室	21	142	7.0	11.0
4	吴拥中	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	33	3.0	5.0
5	邵永亮	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	10	1.0	1.0
6	张浩东	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	10	1.0	1.0