优化高浓度BBr_3工艺

• 作者: 庄泽亮 李建辉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散 VBES BBr3
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-31
• 分类号: TN305.4
• 字数: 1010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.08.010

摘要

文章主要讨论如何通过优化高浓度BBr3扩散工艺,解决P型芯片的VBES参数偏大的问题,从而提高VBES测试成品率。P型芯片发射极杂质扩散的扩散源是液态BBr3,通过O2携带,进入扩散炉内。在炉内高温作用下发生化学反应,释放出B杂质,完成发射区的B掺杂。在化学反应过程中,同时也会生成B2O3,当B2O3含量过高,就会堆积在发射区表面形成＂斑污＂,阻止B杂质的再扩散,导致芯片VBES偏大不合格。通过控制BBr3和O2在扩散炉内的比例,降低B2O3的含量,保证B杂质的正常扩散,提高VBES的合格率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄泽亮		2	1	1.0	1.0
2	李建辉		6	8	2.0	2.0