过渡金属原子钴掺杂硅团簇CoSi6～9的密度泛函理论研究

• 作者: 傅院霞 吕思斌 崔执凤 汤庆国 王倩 胡守信 许永红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 Co掺杂硅团簇 几何结构
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 859-865
• 分类号: O561.1
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.05.013

摘要

利用密度泛函理论对CoSin(n=6～9)中性团簇的几何结构演化和电子结构性质进行研究,结果表明Co掺杂硅团簇的最小笼状尺寸是n=9,其中Co原子被扭曲状的Si9棱柱包拢.CoSi8团簇由于存在多个能量相近的异构体,导致团簇的吸附活性降低.自然电荷布局分析表明对于茏状的Cc@Si9团簇,其电荷主要分布在外围的硅笼,内部的Co原子通过spd杂化与外部硅笼成键,这保持了笼状团簇的稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔执凤	安徽师范大学原子与分子物理研究所	143	646	12.0	19.0
2	王倩	西北师范大学化学化工学院	15	19	3.0	3.0
3	傅院霞	蚌埠学院效学与物理系	46	69	5.0	6.0
4	吕思斌	蚌埠学院效学与物理系	21	36	4.0	4.0
5	许永红	安徽师范大学原子与分子物理研究所	1	5	1.0	1.0
6	汤庆国	安徽师范大学原子与分子物理研究所	1	5	1.0	1.0
7	胡守信	安徽师范大学原子与分子物理研究所	1	5	1.0	1.0