后栅型场发射显示器窜压现象的研究

• 作者: 吴朝兴 李昱 胡利勤 苏艺菁 郭太良
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 窜压现象 沟槽状介质层 二次电子发射 后栅型结构 场致发射
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 12-16
• 分类号: TN383.1
• 字数: 3930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.01.03

摘要

提出后栅型场发射显示器(FED)测试过程中的窜压现象,解释该现象的产生原因.阴极电极 侧壁场发射电子轰击栅极导致电压表示数发生变化.针对此问题设计一种具有沟槽状介质层 结构的后栅型FED从而避免阴极电极侧壁的电子发射.采用全印刷技术制作场发射显示阵列.实 验表明此器件具有良好的发射稳定性及栅压调控特性,有效杜绝窜压现象的发生.阳极电压为600 V,栅极电压在100～250 V范围内对阳极电流有良好的调控作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	吴朝兴	福州大学物理与信息工程学院	17	33	3.0	5.0
3	李昱	福州大学物理与信息工程学院	7	11	3.0	3.0
4	胡利勤	福州大学物理与信息工程学院	17	56	4.0	7.0
5	苏艺菁	福州大学物理与信息工程学院	2	2	1.0	1.0