纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性

• 作者: 于威 傅广生 徐焕钦 徐艳梅 王新占 路万兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅粒子 射频等离子体增强化学气相沉积 光致发光
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 347-352
• 分类号: O469|O482.31
• 字数: 4559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113204.0347

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究.稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带.不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明,纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带-带跃迁过程,衰减时间在纳秒量级,氧化造成该波段发光衰减时间常数增加.氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的辐射复合,该发光衰减寿命微秒量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	路万兵	河北大学物理科学与技术学院	17	86	6.0	9.0
4	徐艳梅	河北大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0
5	徐焕钦	河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
6	王新占	河北大学物理科学与技术学院	4	8	1.0	2.0