射频磁控溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌的影响

• 作者: 张敏刚 张真真 柴跃生 陈峰华
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 薄膜成分 薄膜形貌 价电子浓度
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 85-86,98
• 分类号: O484.5
• 字数: 2280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2011.04.027

摘要

采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si(100)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜.实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响.Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.薄膜的价电子浓度(e/a)变化较小.参考英国国家物理实验室数据中有关Ar气对不同元素溅射产额数据,对薄膜成分偏离进行理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柴跃生		74	261	7.0	12.0
2	张敏刚		103	263	7.0	11.0
3	陈峰华		25	62	3.0	7.0
4	张真真		3	3	1.0	1.0