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摘要:
在上海光源BL14W1线站建立了掠入射XAFS(GI-XAFS)方法,利用GI-XAFS方法并结合X射线反射(XRR)研究了直流磁控溅射方法生长在W/Si基底上的Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构随Ni层厚度的变化.结果表明,随着薄膜厚度的增加,Ni/Ti界面层间的相互扩散有所增加,Ni层厚度为5 nm时,Ni/Ti界面层间的扩散厚度为2 nm左右;Ni层厚度为1 nm时,由于无序度较大,Ni-Ni配位和Ni-Ti配位的键长有所收缩;随着薄膜Ni层厚度的减小,无序度逐渐增加,Ni-Ti配位增加,Ni-Ni配位减少.
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文献信息
篇名 用掠入射XAFS方法研究Ti/Ni/Ti纳米薄膜的界面结构
来源期刊 核技术 学科 物理学
关键词 掠入射 X射线吸收精细结构(XAFS) Ti/Ni/Ti薄膜 X射线反射(XRR)
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 新一代同步辐射技术及应用
研究方向 页码范围 489-493
页数 5页 分类号 O434.19
字数 2614字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高星 中国科学院上海应用物理研究所 138 1635 23.0 34.0
2 黄宇营 中国科学院上海应用物理研究所 75 448 11.0 17.0
3 王建强 中国科学院上海应用物理研究所 22 110 5.0 10.0
4 魏向军 中国科学院上海应用物理研究所 7 32 3.0 5.0
5 张硕 中国科学院上海应用物理研究所 21 75 5.0 7.0
6 姜政 中国科学院上海应用物理研究所 14 38 3.0 5.0
7 于海生 中国科学院上海应用物理研究所 2 5 1.0 2.0
8 顾颂琦 中国科学院上海应用物理研究所 4 28 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
掠入射
X射线吸收精细结构(XAFS)
Ti/Ni/Ti薄膜
X射线反射(XRR)
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
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4-243
1978
chi
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