SiCl4中SiHCl3的去除及检测方法研究进展

• 作者: 毛威 王铁艳 苏小平 袁琴
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: SiCl4 光纤 SiHCl3 去除 检测
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 143-149
• 分类号: TQ127.21
• 字数: 3251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.01.026

摘要

SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能.SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量产生严重影响.综述了国内外对于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究进展,主要有精馏法、等离子体法、光化法,以及吸附法、部分水解法等其他一些方法.国内常用精馏法提纯SiCl4,但由于SiHCl3和SiCl4的沸点较为接近,精馏法对于SiCl4中SiHCl3的去除仍然存在着一定的限度;等离子体法去除SiHCl3效果好,但对于设备、技术要求相对较高;光化法对于SiHCl3的去除十分有效,可将SiHCl3的含量降到1×10-6以下.同时介绍了SiCl4中SiHCl3含量的检测方法,包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法(FT-IR法)、红外空气参考法.气相色谱法具有取几毫克SiCl4即可检出其中微克级SiHCl3的特点,其检测下限为0.1×10-6;FT-IR法不仅可用于实验室分析,而且可应用于生产现场分析,对SiHCl3的测量下限为0.6×10-6;红外空气参考法对SiHCl3的测量下限为2×10-6.进行SiCl4中SiHCl3的去除工艺、检测技术研究,对于光纤用高纯SiCl4的提纯,进而对于光纤用关键原料国产化,具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王铁艳		7	36	4.0	5.0
2	袁琴		5	23	3.0	4.0
3	苏小平		15	133	7.0	11.0
4	毛威		2	7	2.0	2.0