光刻过程RtR控制方法研究进展分析

• 作者: 王亮 胡静涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体制造 光刻过程 RtR控制 过程控制 模型预测控制
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 199-205
• 分类号: TN305.7
• 字数: 6435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.006

摘要

首先对光刻过程和RtR (Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构.然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变童控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析.最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮	中国科学院沈阳自动化所工业信息学重点实验室	127	2555	16.0	49.0
10	胡静涛	中国科学院沈阳自动化所工业信息学重点实验室	71	928	17.0	28.0