应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜

• 作者: 刘鹏飞 江川 汪建华 熊礼威 苏含
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米金刚石膜 半导体器件 掺杂
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 页码范围: 68-72
• 分类号: TQ177.5
• 字数: 4208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2011.10.016

摘要

金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石薄膜作为半导体器件工作层的优点,综述了金刚石p型掺杂和n型掺杂的研究现状,并对影响纳米金刚石薄膜生长的因素进行了探讨.指出了金刚石膜在半导体器件的应用趋势,并对其应用前景进行展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
3	熊礼威	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	37	243	9.0	14.0
6	苏含	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	13	2.0	2.0
7	刘鹏飞	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	13	2.0	2.0
8	江川	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	13	2.0	2.0