976 nm高效率半导体激光器

• 作者: 位永平 安振峰 徐会武 林琳 王晶 车相辉 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高效率 半导体激光器 976 nm 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 线阵列
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 345-347
• 分类号: TN365
• 字数: 1519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.05.002

摘要

976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用.通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压:通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率.25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%.15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	58	6.0	7.0
2	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
3	王晶	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	24	3.0	4.0
4	安振峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	31	150	7.0	10.0
5	徐会武	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	63	5.0	6.0
6	车相辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	4.0	4.0
7	位永平	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	7	2.0	2.0