基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究

• 作者: 刘云 张金龙 王琪 王立军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固体掩膜版 电感耦合等离子体 InP 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1276-1280
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2837字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113212.1276

摘要

研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀.采用Cl2/Ar/H:混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围.获得有效的刻蚀速率为450～1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175～190.掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王琪	中国科学院激发态重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	99	2228	24.0	44.0
5	王立军	中国科学院激发态重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	131	1339	19.0	31.0
6	刘云	中国科学院激发态重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	99	706	15.0	23.0
7	张金龙	中国科学院激发态重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	23	188	8.0	13.0