低电压CMOS压控振荡器设计

• 作者: 刘华珠 黄海云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 压控振荡器 相位噪声 调谐宽度 滤波器
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 382-384,396
• 分类号: TN752.5|TN432
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.05.011

摘要

设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化.设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标.结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24～2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘华珠	东莞理工学院电子工程学院	35	59	4.0	5.0
2	黄海云	杭州电子科技大学新型电子器件研究所	7	26	3.0	5.0