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磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究
磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究
作者:
吴志明
居勇锋
李林
蒋亚东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
TiOx薄膜
霍尔效应
X射线光电子能谱
电阻温度系数
摘要:
采用直流磁控溅射法在K9玻璃上制备了不同溅射温度和氧气流量的氧化钛(TiOx)薄膜.采用XPS、霍尔效应测试仪对薄膜的组份、载流子浓度和迁移率进行了测试,发现随着溅射氧气流量的增大,薄膜中的氧元素比例增大,载流子浓度减小,迁移率增大.分析了TiOx薄膜的电阻温度系数(TCR)与溅射温度和氧分压的关系,薄膜的电阻率从0.01Ω·cm上升到2 Ω.cm时,TCR值从-1.3%上升到-2.14%.同一温度制备的TiOx薄膜随着氧气流量的增大TCR增大;方阻值相同的TiOx薄膜,随着制备温度的提高其TCR增大.
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文献信息
篇名
磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
TiOx薄膜
霍尔效应
X射线光电子能谱
电阻温度系数
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
固态电子器件及材料
研究方向
页码范围
625-628
页数
分类号
TN305.92
字数
3164字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9490.2011.06.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李林
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
28
137
7.0
10.0
2
吴志明
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
78
544
13.0
17.0
3
蒋亚东
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
318
2024
18.0
25.0
4
居勇锋
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
1
2
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二级引证文献(0)
2012(1)
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二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
TiOx薄膜
霍尔效应
X射线光电子能谱
电阻温度系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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