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摘要:
使用密度泛函B3LYP/3-21G*方法,并用周期边界条件模型,计算了B、N掺杂纳米管的结构参数、掺杂能量、能带结构和能隙.研究表明,碳纳米管掺杂B、N原子后,能隙均增大,变为半导体.B原子掺杂的碳纳米管具有直接带隙,而N原子掺杂则具有间接带隙,B掺杂的(6,6)和(9,9)管以及N掺杂的(6,6)和(9,9)管的能隙分别为0.834、0.990、0.547和0.422eV.
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文献信息
篇名 B、N原子掺杂超长扶手椅型碳纳米管的GTOs-PBC方法研究
来源期刊 化学通报(印刷版) 学科 物理学
关键词 碳纳米管 掺杂 周期边界条件(PBC) 超长 能带
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 439-443
页数 分类号 O48
字数 3654字 语种 中文
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