MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究

• 作者: 吕继磊 吴宇琼 汪建华 满卫东 翁俊 董维
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MPCVD 边缘效应 大颗粒金刚石
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 53-59
• 分类号: TQ138.1+3
• 字数: 3589字
• 语种: 中文

摘要

本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出品粒尺寸达500 μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石.在实验中,利用SEM和Raman光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征.结果表明,边缘处沉积的金刚石颗粒与中央区域沉积的金刚石颗粒相比,具有更大的晶粒尺寸和更好的质量.通过仔细观察实验条件,对边缘效应产生的原因进行了分析,发现由于基片边缘放电,使得基片表面的电场强度和温度分布发生变化,从而导致基片边缘区域的等离子体密度和温度高于中央区域,高等离子体密度和温度的综合作用是使得在基片边缘能以较高的沉积速率沉积出大尺寸金刚石颗粒的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	满卫东	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	45	370	11.0	16.0
3	翁俊	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	33	102	4.0	8.0
4	吴宇琼	江汉大学化学与环境工程学院	19	76	5.0	8.0
5	董维	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	3	35	3.0	3.0
6	吕继磊	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	8	81	5.0	8.0