SiC的添加对AlN/Mo/SiC复合陶瓷的制备和性能影响探究

• 作者: 杨志民 董茜
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: A1N/Mo/SiC复合陶瓷 放电等离子烧结 电阻率 介电性能 热导率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 904-908
• 分类号: TF802.67
• 字数: 3584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.020

摘要

以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30 MPa制备出致密度高达98.5％的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷.采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能,介电性能和热导率进行了测试分析.研究结果表明:采用放电等离子烧结工艺,在较低的温度下可以制备出组织致密均匀的AlN/Mo/SiC复合材料,但随着SiC添加含量的增加,当SiC的体积含量占到总体的60％时,复合材料的致密度又会出现明显的下降.添加SiC后,相对于AlN/Mo复合陶瓷,复合材料的电阻率得以进行有效的控制,不会出现非线性突变-渗流现象,而是在一定的范围内缓慢下降.在26.5～40.0 GHz下复合材料的介电常数和介电损耗均随着SiC含量的增加而增加.复合材料的热导率随着SiC含量的增加而下降:当致密度高于某临界值时,其热导率主要受SiC含量及其分布状态的影响,随着SiC含量的增加呈缓慢下降的趋势；而当致密度低于临界值后,致密度成为热导率的决定性因素,使得复合材料的热导率随着致密度的降低快速下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志民		40	363	9.0	17.0
2	董茜		1	3	1.0	1.0