超宽带开关矩阵的研制

• 作者: 岳维山 张越成 毛伟 许向前
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p-i-n二极管 偏置电路 大功率 宽带 开关矩阵
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 474-477
• 分类号: TN312.4
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.015

摘要

介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵.通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问题;采用宽带锥形电感和空心电感相结合的电路形式,设计了一种宽带的偏置电路;优化了开关矩阵电路的设计,简化了电路结构形式,提高了开关矩阵的微波性能和可生产性.设计实现了一种超宽带单路选通开关矩阵,工作频率为1～18 GHz,插入损耗(IL)＜5dB,端口隔离(Isolation)＞35dB.验证结果表明,理论仿真结果与实验测试结果基本一致,证明了设计方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张越成	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	5	1.0	1.0
2	许向前	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	10	2.0	3.0
3	毛伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	1.0	2.0
4	岳维山	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0