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摘要:
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜.通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果.文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小.
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文献信息
篇名 国产SiC衬底上利用AIN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 GaN AlN SiC衬底 MOCVD X射线衍射
年,卷(期) 2011,(9) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 896-901
页数 分类号 O472
字数 4479字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20113209.0896
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1970
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