负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展

• 作者: 乔建良 付小倩 常本康 李飙 王晓晖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN光电阴极 负电子亲和势 量子效率 进展
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 前沿领域综述
• 页码范围: 823-829
• 分类号: O462.3
• 语种: 中文

摘要

GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
4	李飙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	37	4.0	6.0
5	付小倩	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	22	3.0	4.0