垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术

• 作者: 伊晓燕 刘志强 李晋闽 王军喜 王良臣 黄亚军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 垂直结构LED 提取效率 双层掩膜 刻蚀
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 206-209
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 字数: 2125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.007

摘要

为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中科院半导体所照明研发中心	6	66	3.0	6.0
2	伊晓燕	中科院半导体所照明研发中心	4	17	2.0	4.0
3	王良臣	中科院半导体所照明研发中心	4	17	2.0	4.0
4	王军喜	中科院半导体所照明研发中心	3	5	1.0	2.0
5	李晋闽	中科院半导体所照明研发中心	4	6	1.0	2.0
6	黄亚军	中科院半导体所照明研发中心	1	0	0.0	0.0