直流磁控溅射法制备YBCO超导薄膜研究

• 作者: 王道云 赵元黎
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 YBCO超导薄膜 XRD
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-37
• 分类号: TN305
• 字数: 2207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.09.010

摘要

文中采用直流磁控溅射法制备了YBCO超导薄膜，研究了镀膜过程中不同的气体总压、氧氩比、薄膜厚度以及退火温度对薄膜性质的影响，通过XRD分析，当总气压为40Pa、氧氩比为1：2、厚度为1μm、退火温度为800℃时，是薄膜生长的最佳条件。总气压过低，镀膜过程不能进行，气压过高，分子间自由程增加，溅射速率降低；氧氩比较低时，氧离子较少，造成靶材缺氧，镀膜过程不能进行，氧氩比较高时，辉光明亮，对靶材造成损害；随着薄膜厚度的增加，薄膜的005峰半高宽由大逐渐减小，薄膜厚度为1μm时，半高宽最小。退火温度在780℃～800℃之间时，YBCO薄膜005峰的半高宽较小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元黎	郑州大学物理工程学院	59	360	11.0	15.0
2	王道云	郑州大学物理工程学院	2	3	1.0	1.0