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摘要:
提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响.将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高.
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文献信息
篇名 半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 增透膜 折射率 溅射 灾变性光学损伤
年,卷(期) 2011,(12) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 1292-1296
页数 分类号 TN248.4
字数 2858字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20113212.1292
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研究主题发展历程
节点文献
增透膜
折射率
溅射
灾变性光学损伤
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相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
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1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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