14.5～15GHz11W内匹配功率器件

• 作者: 吴洪江 吴阿慧 康建磊 杨克武
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs PHEMT 内匹配 高频器件 输入阻抗 输出阻抗
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 190-193
• 分类号: TN323.4|TN304.23
• 字数: 2342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.004

摘要

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件.为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2mm的大功率管芯.采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性.在带内频率14.5～15GHz、漏源电压V(ds)为8V时,器件输出功率大于40.4dBm(11W),线性功率增益为7dB,功率附加效率大于23%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武	河北工业大学信息工程学院	26	186	6.0	13.0
3	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
6	康建磊	河北工业大学信息工程学院	1	1	1.0	1.0
7	吴阿慧	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	1	1.0	1.0