退火温度对Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程的影响研究

• 作者: 郭佳丽
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 稀土Ce Si薄膜 退火 晶化过程
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 62-64,75
• 分类号: TB43
• 字数: 2577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.04.018

摘要

基于铝诱导晶化方法,通过直流磁控溅射离子镀技术利用纯Al、纯Si和Al(Ce)靶材,制备了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜.采用真空退火炉和X射线衍射仪在不同温度下,对样品进行了退火实验并分析了Al-Si和Al(Ce)-Si薄膜的晶化和生长过程；结合Si薄膜的生长机理,研究了Al和稀土Ce在对Si薄膜退火晶化过程中的影响.结果表明:在Al(Ce)诱导Si薄膜晶化过程中,Ce可促进Si原子沿Si(111)晶面生长；500℃退火后,与Al-Si薄膜相比Al(Ce)-Si薄膜中Si的平均晶粒尺寸显著减小；Ce的存在细化了Al晶粒尺寸,且在扩散进程中使得Al原子弥散分布于Si原子所在微区,是Si晶粒平均晶粒尺寸减小的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭佳丽		1	1	1.0	1.0