Mg微合金化对MoSi_2价电子结构及性能的影响

• 作者: 冯培忠 刘伟生 刘炯天 强颖怀 王晓虹
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 微合金化 固体与分子经验电子理论 价电子结构 性能
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 模拟计算
• 页码范围: 157-161
• 分类号: TG148|TG111.1
• 语种: 中文

摘要

为了预测Mg微合金化对MoSi2性能的影响,运用固体与分子经验电子理论（EET）,采用键距差（BLD）以及平均原子模型的方法,对MoSi2和Mo（Si0.95,Mg0.05）2固溶体进行价电子结构分析,并计算各键键能。结果表明：Mg微合金化改变了Mo原子和Si原子的杂化状态,从而使相应的价电子结构参数发生变化。Mg微合金化之后,最强键上共价电子对数和键能降低,表明固溶体的熔点和硬度降低。共价电子数在总价电子数中所占比例下降,晶格电子数增加,因而Mg微合金化之后宏观上表现为材料的强度降低,但是塑性和导电性增加,脆性降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	强颖怀	中国矿业大学材料科学与工程学院	95	746	13.0	22.0
2	刘炯天	中国矿业大学化工学院	235	3694	34.0	47.0
3	王晓虹	中国矿业大学材料科学与工程学院	29	319	9.0	17.0
4	冯培忠	中国矿业大学材料科学与工程学院	25	201	6.0	13.0
8	刘伟生	中国矿业大学材料科学与工程学院	2	11	2.0	2.0