LED用YAG:Ce3+荧光粉包覆SiO2膜的研究

• 作者: 张佩聪 李伟 杨茜 赵昆 邱克辉
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶法YAG:Ce3+荧光粉 SiO2膜 包覆 热劣化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 开发应用
• 页码范围: 100-102
• 分类号: TQ422
• 字数: 2489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2011.03.032

摘要

选用热稳定性好、无色透明的SiO2为包覆物,采用溶胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,对YAG:Ce3+荧光粉的表面进行SiO2膜的包覆研究,以解决LED荧光粉在使用过程中突出的热劣化问题.采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(FS)等对包膜前后的YAG:Ce3+荧光粉的晶体结构、表面形貌、发光性能等进行表征和分析.结果表明,YAG:Ce3+荧光粉表面上包覆了一层均匀且致密的氧化硅膜层,且对包膜后的YAG:Ce3+荧光粉的发光性能基本没有影响,包覆效果较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱克辉	成都理工大学材料科学技术研究所	82	743	15.0	21.0
2	赵昆		7	41	3.0	6.0
3	李伟	成都理工大学材料科学技术研究所	20	104	6.0	10.0
4	张佩聪	成都理工大学材料科学技术研究所	43	288	9.0	14.0
5	杨茜	成都理工大学材料科学技术研究所	10	28	3.0	5.0