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摘要:
文章基于CMOS0.18μm-工艺,在Hspice下,对四种MOS管基准电压源进行了分析和仿真,文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果.
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内容分析
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文献信息
篇名 全CMOS基准电压源的分析与仿真
来源期刊 电子技术 学科 工学
关键词 基准电压 CMOS集成电路 Hspice
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 电子技术设计与应用
研究方向 页码范围 30-31
页数 分类号 TN432
字数 346字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0755.2011.07.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李勇峰 西藏大学工学院 28 101 5.0 8.0
2 黄娟 西藏大学工学院 21 66 4.0 7.0
3 王龙业 西藏大学工学院 23 99 6.0 9.0
4 王宏 西藏大学工学院 6 5 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
基准电压
CMOS集成电路
Hspice
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子技术
月刊
1000-0755
31-1323/TN
大16开
上海市长宁区泉口路274号
4-141
1963
chi
出版文献量(篇)
5480
总下载数(次)
19
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22245
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