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摘要:
应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×104 A/cm2.漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理.实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性.
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文献信息
篇名 沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 磁控溅射 沉积温度 SrRuO3 BiFeO3薄膜
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 921-925
页数 分类号 O484
字数 2889字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宽冒 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 9 52 5.0 7.0
2 赵庆勋 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 54 254 10.0 13.0
3 张婷 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 28 88 4.0 9.0
4 马继奎 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 4 22 3.0 4.0
5 魏大勇 河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室 5 27 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
沉积温度
SrRuO3
BiFeO3薄膜
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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7423
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16
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38029
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