HOSO+X(X=F, Cl, Br)的反应机理及电子密度拓扑分析

• 作者: 刘群 孟令鹏 李晓艳 郑世钧
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: HOSO 反应机理 速率常数 电子密度拓扑分析
• 年，卷（期）: 2011,（19）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1522-1529
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972011-75

摘要

在CCSD(T)/6-311++G(d,p)//MP2/6-311++G(d,p)水平上研究了HOSO+X(X=F,Cl,Br)的反应机理.优化得到了反应势能曲线上各驻点的几何构型,通过内禀反应坐标(IRC)确认了反应物、中间体、过渡态和产物的相关性.在CCSD(T)/6-311++G(d,p)水平上对计算得到的构型进行了能量校正.应用经典过渡态理论(TST)与变分过渡态理论(CVT),并结合小曲率隧道效应模型(SCT)校正的方法,计算了该反应在2003000 K温度范围内的速率常数kTST,kCVT和kCVT/SCT.计算结果表明:HOSO+X(X=F,Cl,Br)反应在单态和三态条件下均可发生,其中单态为主反应通道,HX+SO2为主产物.并利用电子密度拓扑分析方法研究了主反应通道化学键的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓艳		56	93	5.0	7.0
2	孟令鹏		107	301	8.0	12.0
3	郑世钧		97	334	9.0	14.0
4	刘群		2	3	1.0	1.0