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低压超结技术
低压超结技术
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摘要：
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4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应
4H-SiC
垂直双扩散MOSFET
半超结
单粒子烧毁
超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化
硅锗碳
超结
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电力半导体器件
半超结
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电力半导体器件
超结
击穿
电荷平衡
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文献信息
| 篇名 | 低压超结技术 | ||
| 来源期刊 | 中国电子商情·基础电子 | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2011,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 69-74 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 4564字 | 语种 | 中文 |
| DOI | |||
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