插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究

• 作者: 卢仲毅 向涛 闫循旺 高淼
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁基超导体 反铁磁半金属 三元铁硒化合物 反铁磁半导体 电子结构计算
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 新型铁基超导体专题
• 页码范围: 527-534
• 分类号: O414.21
• 语种: 中文

摘要

最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2（A=K,Rb,Cs和/或Tl）显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡5×槡5超结构的A0.8Fe1.6Se2三种情况下的电子结构和相应的磁构型,发现AFe2Se2是双共线反铁磁的半金属,而AFe1.5Se2和A0.8Fe1.6Se2则是分别具有数十和数百毫电子伏特能隙的反铁磁半导体,并分别处于共线反铁磁长程序和区块化棋盘反铁磁长程序中.作者还分析和讨论了AyFexSe2的这些基本电子结构可能对超导性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢仲毅	中国人民大学物理系	3	0	0.0	0.0
2	高淼	中国人民大学物理系	2	0	0.0	0.0