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摘要:
利用蒙特卡洛模拟程序SIMRES对中子衍射应力分析谱仪进行模拟实验.首先比较了V5Cr - 5Ti合金和α-Fe样品对应的探测器记录的中子强度.然后对无应力状态下的α-Fe平板贯穿扫描,得到完全沉浸和不完全沉浸时赝偏移变化曲线.
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文献信息
篇名 中子衍射应力分析谱仪模拟实验
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 工学
关键词 蒙特卡罗模拟 中子衍射应力分析谱仪 SIMRES 赝偏移
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 840-843
页数 分类号 TL817+.9
字数 2627字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.08.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈杰 清华大学工程物理系 23 460 12.0 21.0
2 陈波 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 97 475 12.0 18.0
3 孙光爱 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 33 103 4.0 9.0
4 陈彦舟 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 6 3 1.0 1.0
5 樊志剑 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 11 12 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
蒙特卡罗模拟
中子衍射应力分析谱仪
SIMRES
赝偏移
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
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9
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21728
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