功率MOSFET并联均流仿真分析

• 作者: 余向阳 余娟 李晓强
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 并联 均流 仿真
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 基金项目与博士论文
• 页码范围: 25-28
• 分类号: TP391.9
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2011.08.008

摘要

研究多个功率MOSFET并联均流问题.由于市场上的MOSFET功率普遍较小,当电路要求大电流时可将多个MOSFET并联,但一些因素会造成并联管电流分配不均从而导致管子损坏.从器件参数、栅极驱动参数、电路布线三方面分析了各参数对并联功率MOSFET电流分配以及功率损耗的影响,对各参数使用Pspice软件进行了仿真并提出了相应的均流措施,通过仿真结果进行对比,结果验证了均流措施的有效性.仿真方法和结论对实际应用有一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余向阳		49	398	12.0	18.0
2	余娟	陕西师范大学物理学与信息技术学院	11	26	3.0	4.0
3	李晓强		15	27	3.0	5.0