原文服务方: 电子质量       
摘要:
在SD存储卡设计讨论的基础上给出了实现过程,讨论开发平台.围绕提高速度设计和实现了系统架构,开发环境,基本模块设计和读写模块设计.通过这样的实现,可以使读写的速度达到20MB/s、12MB/s.通过W86L388D桥接芯片,控制器和Nand Flash芯片两块大的芯片实现SD长硬件部分.通过四大模块来设计和实现控制器,保证最小的成本来实现高速度,满足工程对成本和速度的要求,达到了极高的安全要求.
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C8051F340
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SD卡存储模块设计
来源期刊 电子质量 学科
关键词 SD Card Nand Flash管理 8051内核
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 产品设计与开发
研究方向 页码范围 34-36
页数 分类号 TP9
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.05.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曲双如 6 32 3.0 5.0
2 赵晶亮 18 93 6.0 9.0
3 王飞 34 145 8.0 10.0
4 胡冠华 10 37 4.0 5.0
传播情况
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引文网络
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
SD Card
Nand Flash管理
8051内核
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
1980-01-01
chi
出版文献量(篇)
7058
总下载数(次)
0
总被引数(次)
15176
论文1v1指导