SD卡存储模块设计

• 作者: 曲双如 王飞 胡冠华 赵晶亮
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: SD Card Nand Flash管理 8051内核
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 产品设计与开发
• 页码范围: 34-36
• 分类号: TP9
• 字数: 2015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.05.011

摘要

在SD存储卡设计讨论的基础上给出了实现过程,讨论开发平台.围绕提高速度设计和实现了系统架构,开发环境,基本模块设计和读写模块设计.通过这样的实现,可以使读写的速度达到20MB/s、12MB/s.通过W86L388D桥接芯片,控制器和Nand Flash芯片两块大的芯片实现SD长硬件部分.通过四大模块来设计和实现控制器,保证最小的成本来实现高速度,满足工程对成本和速度的要求,达到了极高的安全要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曲双如		6	32	3.0	5.0
2	赵晶亮		18	93	6.0	9.0
3	王飞		34	145	8.0	10.0
4	胡冠华		10	37	4.0	5.0