硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

• 作者: 刘星光 夏连胜 左曙 张篁 张锐 曾凡光 李昕 谌怡
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 热解法 碳纳米管薄膜 强流脉冲发射 峰值电流密度
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 609-611
• 分类号: O462.4
• 字数: 2405字
• 语种: 中文

摘要

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.