不同形状InN/GaN量子点应变场的有限元分析

• 作者: 张斯钰 曲轶 李辉 赵博 闫明雪 马祥柱
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元 InN/GaN量子点 应变 应变能
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 212-215
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

量子点中的应变场分布对量子点的力学稳定性、压电性能以及光电性能有着重要的影响.基于有限元方法,并考虑了InN/GaN材料的六方纤锌矿结构特性,分别对透镜形、平顶六角金字塔形和六角金字塔形量子点的应变分布进行了比较,结果表明应变主要集中在浸润层和量子点内,在讨论量子点中电子能级时必须考虑浸润层的影响.量子点内的应变分布及静水应变和双轴应变受几何形状的影响明显.此外还计算了三种形状量子点的总能量,六角金字塔形量子点总能量最小,而透镜形量子点总能量最大,因此六角金字塔形是最稳定的结构,而透镜形是最不稳定的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	94	6.0	9.0
2	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
3	马祥柱	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	5	31	2.0	5.0
4	赵博	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	9	9	2.0	2.0
5	张斯钰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
6	闫明雪	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0