新型电力电子芯片

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 电子芯片 绝缘栅双极晶体管 性能指标 自主研发 FRED 非穿通型 自主研制
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 31
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

由江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V／1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，于10月25日顺利通过有关专家组鉴定。专家组一致认为，该公司自主研制的非穿通型（NPT）IG-BT芯片和FRED芯片，主要性能指标均达到国际先进水平，其中1200VIGBT主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。标志着我国新型电力半导体器件从此走上了产业化道路，开始追赶并逐渐超越世界领先水平的新里程。