利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层

• 作者: 傅军 张铁民 林红 符运良 缪国庆
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 缓冲层
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 612-616
• 分类号: O471.1|O472.4
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113206.0612

摘要

采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响.利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长温度下应变释放程度不同,进而在In0.82Ga0.18As表面形成不同类型的缓冲层.分析不同的缓冲层对外延层In0.82Ga0.18As的影响,从而优化出最佳的生长温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符运良	海南师范大学物理与电子工程学院	55	136	5.0	9.0
2	傅军	海南师范大学物理与电子工程学院	44	137	6.0	10.0
3	缪国庆	中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	15	45	4.0	5.0
4	张铁民	海南师范大学物理与电子工程学院	29	73	4.0	7.0
5	林红	海南师范大学物理与电子工程学院	28	38	3.0	5.0