沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

• 作者: 席彩萍 李昭宁 王六定 王小冬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多壁碳纳米管 沉积温度 PECVD
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 938-941
• 分类号: TQ127
• 字数: 2346字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制.结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王六定	西北工业大学应用物理系	33	212	7.0	13.0
2	席彩萍	西北工业大学应用物理系	27	37	3.0	5.0
6	王小冬	西北工业大学应用物理系	4	17	3.0	4.0
7	李昭宁	西北工业大学应用物理系	4	17	3.0	4.0