电化学沉淀法制备纳米结构氧化锌的场发射特性

• 作者: 朱光平 朱汉清 王马华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 场发射 强场效应 缺陷态 串联等效
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 187-192
• 分类号: O738
• 字数: 5295字
• 语种: 中文

摘要

对电化学沉淀法制备的氧化锌纳米棒阵列,通过室温下真空场发射电流密度与外加电压关系的测量,研究其场发射特性.根据测量数据,基于 Fowler-Nordheim 方程,估算了样品场发射效应的增强因子,观察到其取值随外加电压变化具有反常的两阶段性,即当外电场强度在3.3 V/μm 场发射开启值到4.3 V/μm之间时,增强因子值为1339,外加场强大于4.3V/μm 时,增强因子锐减至296;结合样品的光致发光谱和能量散射谱,应用半导体中强电场效应、掺杂半导体中温度对费米能级、载流子浓度和迁移率影响,通过场发射电流密度测量系统的串联电路等效,分析了样品缺陷态对此两阶段性的决定和影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王马华	淮阴工学院电子与电气工程学院	13	54	5.0	6.0
5	朱汉清	淮阴工学院电子与电气工程学院	5	15	2.0	3.0
6	朱光平	东南大学先进光子学中心	8	39	5.0	6.0