氮化镓(GaN)引发的芯片变革

• 作者: 李洪兴
• 来源期刊: 现代军事
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 军事装备
• 页码范围: 42-43
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

据美国工业界和政府的官员说,新一代的电子芯片将开始引领军用电子市场的变革.美国国防高级研究计划局(DARPA)负责微系统技术的副局长马克·罗斯克说,基于氮化镓(GaN)材料制造的芯片,其可靠性和生产量已经达到相当高的程度,因此可以大量采用新一代的氮化镓电路取代原来的砷化镓(GaAs)电路处理器.